RCA實(shí)驗(yàn)室在1985年報(bào)道了在高導(dǎo)熱陶瓷BeO基板上采用薄膜工藝制造的T/R組件(3)，尺寸為7.0cm×9.0cm×1.6cm，工作頻率16.0~16.5GHz，峰值功率3.9~4.4 W，電壓調(diào)諧范圍2.5~2.9，噪聲系數(shù)5dB。

　　在半導(dǎo)體硅材料上，采用薄膜多層技術(shù)制造T/R組件的優(yōu)點(diǎn)是可以和半導(dǎo)體技術(shù)兼容，可以集成有源芯片、無源器件，組件可以做的很小、并且能夠大批量生產(chǎn);缺點(diǎn)是由于硅材料導(dǎo)熱率低，在需要高功率或高Q值的場(chǎng)合，高導(dǎo)熱的氮化鋁、氧化鈹陶瓷更有優(yōu)勢(shì)。圖5是美國(guó)辛西納底大學(xué)研制的薄膜多層發(fā)射模塊示意圖，它是在硅基片上，用Dupont公司的聚酰亞胺做介質(zhì)(每層介質(zhì)厚度9~15μm)，用Ti-Au-Ti或Cr-Au-Cr做導(dǎo)帶(Au厚度2~3μm)，制作的4層金屬、3層介質(zhì)的多層互連結(jié)構(gòu)。

　　傳統(tǒng)的在陶瓷基板實(shí)施薄膜工藝相比，薄膜技術(shù)在T/R組件的應(yīng)用有兩個(gè)明顯的新的趨勢(shì)，一是，在高導(dǎo)熱的金屬、合金、復(fù)合材料( Al/SiC)上采用多層薄膜工藝，制造T/R組件，提高了組件耐功率性能，并且利于封裝;還可根據(jù)設(shè)計(jì)需要把芯片貼裝在表面的凹腔內(nèi)，減短了金絲鍵合的長(zhǎng)度或者不用鍵合，減小了或克服了寄生效應(yīng)，改善組件性能;二是在其他多層基板(如HTCC或LTCC)上，實(shí)施薄膜工藝制造T/R組件，充分發(fā)揮HTCC或LTCC易實(shí)現(xiàn)多層及埋置無源器件的優(yōu)點(diǎn)以及薄膜工藝高精度、低損耗的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)減小T/R組件基板尺寸、改善組件的電性能和熱性能有重要意義。